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MOS管是一個ESD敏感器件，輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，且在靜電較強的場合難于泄放電荷，隨意容易引起靜電擊穿。
靜電擊穿有兩種方式：
電壓型：即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；
功率型：即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。
靜電的基本物理特征為：
1.有吸引或排斥的力量;
2.有電場存在，與大地有電位差;
3.會產(chǎn)生放電電流。
這三種情形即ESD一般會對MOS管造成以下三種情形的影響：
1)元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽命;
2)因電場或電流破壞元件絕緣層和導(dǎo)體，使元件不能工作(完全破壞);
3)因瞬間的電場軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。
所以ESD對MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。
上述這三種情況中，如果元件完全破壞，在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中就可以被察覺排除，影響較少。
如果元件輕微受損，在正常測試中不易被發(fā)現(xiàn)，在這種情形下，常會因經(jīng)過多次加工，甚至已在使用時，才被發(fā)現(xiàn)破壞，不但檢查不易，而且損失亦難以預(yù)測。靜電對電子元件產(chǎn)生的危害不亞于嚴(yán)重火災(zāi)和爆炸事故的損失。
MOS管及產(chǎn)品在什么情況下會遭受靜電破壞？
可以這么說：電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機裝聯(lián)、包裝運輸直至產(chǎn)品應(yīng)用，都在靜電的威脅之下。
在整個電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程中，每一個階段中的每一個小步驟，靜電敏感元件都可能遭受靜電的影響或受到破壞，而實際上主要而又容易疏忽的一點卻是在元件的傳送與運輸?shù)倪^程。
在這個過程中，運輸因移動容易暴露在外界電場(如經(jīng)過高壓設(shè)備附近、工人移動頻繁、車輛迅速移動等)產(chǎn)生靜電而受到破壞，所以傳送與運輸過程需要特別注意，以減少損失，避免無所謂的糾紛。
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